材料性能
項目
規格
檢測方法
生長方式
CZ
--
結晶性
單晶
擇優化學腐蝕法
導電類型
P型
P/N型測試儀
尺寸
M6:166mm*223mm M10:182mm*247mm
矽片自動檢測設備
厚度
165 ﹢20/﹣10 µm 160 ﹢20/﹣10 µm 155 ﹢20/﹣10 µm 150 ﹢10/﹣10 µm
矽片自動檢測設備
項目:
生長方式
規格:
CZ
檢測方法:
--
項目:
結晶性
規格:
單晶
檢測方法:
擇優化學腐蝕法
項目:
導電類型
規格:
P型
檢測方法:
P/N型測試儀
項目:
尺寸
規格:
M6:166mm*223mm M10:182mm*247mm
檢測方法:
矽片自動檢測設備
項目:
厚度
規格:
165 ﹢20/﹣10 µm 160 ﹢20/﹣10 µm 155 ﹢20/﹣10 µm 150 ﹢10/﹣10 µm
檢測方法:
矽片自動檢測設備
電性能
項目
規格
檢測方法
電阻率
0.4-1.1 ohm.cm
矽片自動檢測設備
少子壽命
≥50us
Sinton BCT-400 QSSPC准穩態光電導衰減法 Transient瞬態光電導衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)
氧含量
≤8E + 17 at/cm³
傅裡葉變換紅外光譜儀
碳含量
≤ 5E + 16 at/cm³
傅立葉變換紅外光譜儀
項目:
電阻率
規格:
0.4-1.1 ohm.cm
檢測方法:
矽片自動檢測設備
項目:
少子壽命
規格:
≥50us
檢測方法:
Sinton BCT-400 QSSPC准穩態光電導衰減法 Transient瞬態光電導衰減法 (with injection level: 1E15 cm-3)
項目:
氧含量
規格:
≤8E + 17 at/cm³
檢測方法:
傅裡葉變換紅外光譜儀
項目:
碳含量
規格:
≤ 5E + 16 at/cm³
檢測方法:
傅立葉變換紅外光譜儀

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