单晶硅片生产流程为拉晶、切方、切片、清洗及分选工序。经过不断提升切割工艺及终检能力，持续提升产能和硅片成品率，满足客户对硅片质量与产量需求。
大装料、高拉速、多次拉晶等新工艺及配套的装备改良技术，以及一些新材料及自动控制系统的引入大大降低了隆基的拉晶成本。
低衰减单晶 通过单晶硅片品质提升和电池端工艺优化，单晶已基本解决了初始衰减问题，并向全行业公开该项技术。
新材料 拉晶使用的非硅原辅材占整个成本的25%左右，因此，提高非硅原辅材的使用寿命是降低拉晶成本的又一个重要手段。比如，使用碳碳复合材料、坩埚涂层技术的应用。
自动化与智能化 自动化、智能化手段控制单晶炉以减少长晶过程人为干预，智能制造正在成为未来技术发展趋势，提高有效产能并大幅减少用工数量，提高晶体生长过程的一致性。
薄片化 薄片化可大幅提高每公斤单晶出片率、提升切片产能，价值贡献巨大，可为不远将来单多晶硅片成本逆转提供有力支撑，单晶所具备的薄片化切割优势已逐步转化为产业需求。
低衰减单晶 通过单晶硅片品质提升和电池端工艺优化，单晶已基本解决了初始衰减问题，并向全行业公开该项技术。
新材料 拉晶使用的非硅原辅材占整个成本的25%左右，因此，提高非硅原辅材的使用寿命是降低拉晶成本的又一个重要手段。比如，使用碳碳复合材料、坩埚涂层技术的应用。
自动化与智能化 自动化、智能化手段控制单晶炉以减少长晶过程人为干预，智能制造正在成为未来技术发展趋势，提高有效产能并大幅减少用工数量，提高晶体生长过程的一致性。
薄片化 薄片化可大幅提高每公斤单晶出片率、提升切片产能，价值贡献巨大，可为不远将来单多晶硅片成本逆转提供有力支撑，单晶所具备的薄片化切割优势已逐步转化为产业需求。
